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AMD64 详尽内存参数优化指南 (此文根据网上资料经笔者改编,仅供参考)
>1 、 1T/2T TIMING( Command Per Clock(CPC))
Settings=AUTO,1T(Enable),2T(Disable)
这是内存中最重要的参数 >,但很多时候他并不在内存时序中的说法中存在,更多是把它放在频率后面,例如有些玩家说我内存上到了300
1T了,可见其重要性与内存频率等同。DFI 的主板往往喜欢叫成 Command Per Clock(CPC)
影响:非常主要影响稳定性和带宽,性能影响其次。
建议设置: 1T
说明:如果选择2T舍弃性能求更高频率的话,要看频率能高出多少,如果不超过30MHZ就算了,徒增发热之余还不能提高性能。但有些内存在2T下能提高30以上的频率,虽然比较少见。不过选择2T是在分别插上不同条子时增加兼容性的一个好办法。
>
1T DRAM Timing
2T DRAM Timing
Sandra 2004,Memory Bandwidth Int,MB/s
5906
4900
Sandra 2004,Memory Bandwidth Float,MB/s
5832
4900
Sciencemark 2.0,Memory Bandwidth,MB/s
5692.29
4525.71
Sciencemark 2.0,Memory Latency,cycles
96
107
PCMark04,Overall score
4525
4438
PCMark04,CPU score
4178
4134
PCMark04,Memory score
5392
4734
Quake3(four),1024x768
419.3
403.1
Unreal Tournament 2004(dm-rankin),1024x768
112.33
108.52
Far Cry,1024x768
68.65
68.26
从测试中我们看到1T/2T TIMIN对整个系统尤其是内存带宽 的影响非常之大
2 、 cas Latency Control ( tCL )
Settings = Auto , > 1 , 1.5 , 2 , 2.5 , 3 , >3.5
, 4 , 4.5 (红色部分代表只有部分主板支持此选项)
这是最重要的内存参数之一,通常玩家说明内存参数时把它放到第一位,例如 2.5-4-3 -5@275mhz ,表示 cl
为 2.5 。通常 2 可以达到更好的性能,但 3 能提供更佳的稳定性。值得注意的是, Winbond BH5/UTT芯片可能无法设为 3 。 有些内存并非选择3可以增加超频频率,而是2.5会比较好。
CAS 表示列地址寻址( Column address Strobe or Column address Select
), CAS 控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为 CAS 主要控制十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址,所以它是最为重要的参数,在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是
tRAS ( Activeto Precharge Delay ),预充电后,内存才真正开始初始化 RAS 。一旦 tRAS 激活后, RAS ( Row
address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址,然后初始化 tRCD ,周期结束,接着通过 CAS 访问所需数据的精确十六进制地址。期间从
CAS 开始到 CAS 结束就是 CAS 延迟。所以 CAS 是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小,则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟,可能会丢失数据,因此在提醒大家把
CAS 延迟设为 2 或 2 。 5 的同时,如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率,所以需要对内存超频时,应该试着提高
CAS 延迟。
影响:主要影响稳定性和性能,轻微影响带宽
建议设置: 1.5 , 2 , 2.5 ,和 3
说明:并非数值越大越好,不少内存在3时无法上更高频率。但像UCCC之类的内存在3时超频是最佳。1.5现在随着内存工艺和制程的改善也有不少内存可以选择,但是对其性能似乎没有影响,而且并非所有主板能够支持。
3 、 RAS#to CAS# Delay ( tRCD )
Settings = Auto , > 0 , 1 , 2 , 3 , 4 , 5 , 6
, 7 。 >(红色部分代表只有部分主板支持此选项)
这个是说明内存参数时排到第二位的数值,例如 2.5-4-3 -5@275mhz ,表示 tRCD 为 4 。
该参数可以控制内存行地址选通脉冲( RAS , Row address Strobe )信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对内存进行读、写或刷新操作时,需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在
JEDEC 规范中,它是排在第二的参数,出于最佳性能考虑可将该参数设为 2 ,如果系统无法稳定运行则可将该参数设为 3 。同样的,调高此参数可以允许内存运行在更高的频率上,用户超频内存遇到困难时可以尝试提高
tRCD 。
影响:主要影响带宽和稳定性和性能
建议设置: 2-5 。 2 能达到最高性能,为达到内存最高频率可设为 4 或 5 。
说明:大部分内存在设定为4以上时会改善不少稳定性。
4 、 MinRAS# Active Timing ( tRAS )
Settings = Auto , > 00 , 01 , 02 , 03 , 04 ,
05 , 06 , 07 , 08 , 09 , 10 , >11 , 12 , 13 , 14 , 15 。 >(红色部分代表只有部分主板支持此选项)
这个是说明内存参数时排到第四位的数值,例如 2.5-4-3 -5@275mhz@275mhz ,表示 tRAS 为5 。
这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数( tRAS ),它表示一个行地址从激活到复位的时间。 tRAS 过长,会严重影响性能。减少
tRAS 可以使得被激活的行地址更快的复位,然而, tRAS 太短也会造成不够时间完成一次突发传送,数据会丢失或者覆盖。最佳设置是越低越好。 通常,
tRAS 应该设为 tCL+tRCD+2 个时钟周期。例如如果 tCL 和 tRCD 分别为 2 和 3 个时钟周期,则最佳的 tRAS 值为 7 。但如果产生内存错误或系统不稳定,就必须提高
tRAS 值了。
事实上 tRAS 是极具争议的一个数值。很多人认为 00 , 05 或者 10 是最快最稳定的。但这也未必对每个用户都适用,它根据内存有所不同。通常设为
10 后内存能达到最好的超频能力。
影响:轻微影响带宽性能,在部分内存上主要影响稳定性
建议设置: 5-10 。
说明:此项参数对于一些内存来说非常影响其极限频率,但是有些内存可以调整至0都没什么大影响。
5 、 RowPrecharge Timing ( tRP )
Settings = Auto , > 0 , 1 , 2 , 3 , 4 , 5 , 6
, 7 。 >(红色部分代表只有部分主板支持此选项)
这个是说明内存参数时排到第三位的数值,例如 2.5-4-3 -5@275mhz ,表示 tRP 为 3 。
tRP 用来设定在另一行能被激活之前, RAS 需要的充电时间。 tRP 参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长,设为
2 可以减少预充电时间,从而更快地激活下一行。然而,想要把 tRP 设为 2 对大多数内存都是个很高的要求,可能会造成行激活之前的数据丢失,内存控制器不能顺利地完成读写操作。因此,在稳定的前提下建议
tRP 设为 2 ,万一不够稳定就必须增加到 3 或 4 。
影响:主要影响带宽和稳定性
简直设置: 2-4 。 2 为最佳性能, 4-5 能达到内存的极限频率。
说明:一般情况下,TRP相对可以调整比TRCD相等更小的参数。
小熊在线——WolStame 北京 2006年01月12日13:39