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| 第7页：浅谈K8平台超频之内存超频(三)压箱轴心，内存时序调整优化教学(2) |
RowCycle Time （ tRC ）
Settings = Auto ， 7-22 ，步进为 1 。
这个参数用来控制内存的行周期时间。 tRC 决定了完成一个完整的循环所需的最小周期数，也就是从行激活到行充电的时间。根据方程，
tRC=tRAS+tRP 。因此，在设定 tRC 之前，必须参考一下 tRAS 和 rRP 的数值。如果行周期时间过长，会延迟完成一个周期后激活新的行地址的时间。然而，太短会导致被激活的行还未充分充电就开始下一个初始化，这样会造成数据丢失或覆盖。
>一般情况下根据 tRC= tRAS + tRP 把 tRC 设为一个较低的值，例如 tRAS 为 7 个时钟周期， tRP
为 4 个时钟周期，则理想的 tRC 值为 11 。
影响：主要影响稳定性和内存带宽
建议设置： 7 为最佳性能， 15-17 为超频建议参数，可以从 16 开始逐步调低直到稳定。记住公式 tRC = tRAS
+tRP 。
RowRefresh Cycle Time （ tRFC ）
Settings = Auto ， 9-24 ，步进为 1 。
这个设定代表在同一 bank 中刷新一个单独的行所需的时间。同时还是同一 bank 中两次刷新指令的间隔时间。 tRFC
应该比 tRC 高。
影响：主要影响内存带宽和稳定性。
建议设置： 通常不能达到 9 ，而 10 为最佳设置。 17-19 是内存超频建议值。可以从 17 开始逐步往下调节。大多数稳定值为
tRC 加上 2-10 个时钟周期。
Rowto Row Delay （也称为 RAS to RAS delay ）（ tRRD ）
Settings = Auto ， 0-4 ，步进 1
此参数表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电时间。延迟越低，表示下一个 bank 能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。对于桌面电脑，建议使用
2 个时钟周期的延迟，此时的数据膨胀可以忽视。 tRRD 设为 2 可以提高 DDR 内存的读写性能，当 2 才稳定时才应该设为 3 。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性
建议设置： 0 是最佳性能参数， 4 超频内存时能达到最高的频率。通常 2 是最合适的值， 0 看上去很奇怪，但笔者手中的内存也能稳定运行在
0@300MHz 。
说明：此值对增加兼容性而言是一个好办法，并且设定的较高(值>3)对DT D43/D5颗粒的超频能力有很大提高
WriteRecovery Time （ tWR ）
Settings = Auto ， 2 ， 3 。
tWR 表示，在一个内存 bank 被充电之前，一个有效的写操作完成后延迟的时间。这个延迟保证了在充电之前写缓冲里的数据就能被写入内存单元。延迟越短，说明花更少的时间就能对下一次读写操作充电，但同时也有覆盖数据的可能。我的建议是，使用
DDR266 和 DDR200 时可以设为 2 ，但 DDR333 和 DDR400 可能不一定稳定，这样就必须设为 3 。总之在稳定的前提下尽量降低延迟。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性
建议设置： 2 为最佳性能， 超频用户可以考虑 3 。
说明：部分内存在调整为3时会导致稳定性不佳，反映在几小时的连续工作中，如果玩War3的朋友在几小时3C时退出有可能是因为此值设定不好。
Writeto Read Delay （ tWTR ）
Settings = Auto ， 1 ， 2
这个参数控制写数据到读指令的延迟，它表示在同一 bank 中，最近的一次有效写操作到下一次读指令间隔的时钟周期。 1
个时钟周期自然可以提供从读到写更快速的切换。设为 2 会影响读数据的速度，但提高稳定性，尤其是高频时。换句话说， 对内存超频的玩家，我们建议设为
2 。 通常 DDR266 和 DDR333 都能稳定运行在 1 ，这样内存的读速度会更快。当然 DDR400 的用户也能尝试着设为
1 ，但如果不稳定就必须降到 2 了。
tWTR 表示读到写的延迟。三星把这个参数称之为 TCDLR （ last data in to read command
）， JDED 规格中把它定为一个时钟周期。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性
建议设置： 1 是最佳性能，超频内存时建议设为 2 。
Readto Write Delay （ tRWT ）
Settings = Auto ， 1-8 ，步进 1
tRWT 不是一个标准的内存时序参数，当内存控制器接收到一个读指令后立即又收到一个写指令，在写指令执行之前，会产生一个额外的延迟。较低的延迟可以提高内存子系统的写速度。如果想快速的完成读到写的转换，建议设为
1 个时钟周期。但显然并非所有的内存都能达到这个要求，不稳定时也会出现数据覆盖的错误。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性和性能。
建议设置： 1 是最好性能，超频用户建议为 3 。普通用户在稳定的基础上选用 1 。
说明：对三星UCCC颗粒选择3甚至以上会获得更高的频率，部分TCCD也如此。
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小熊在线——WolStame 北京 2006年01月12日13:39 |
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