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超频盛宴 23款939主板铸造年度教学横测

〖原创〗小熊在线——WolStame 　北京 2006年01月12日13:39

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内容涉及23块主板的性能和超频详细专业的测试，和一些附带CPU，内存，主板的超频教学,跨年度历时一个多月的巨献! (75417 字)

第8页：浅谈K8平台超频之内存超频(三)压箱轴心，内存时序调整优化教学(3)

RefreshPeriod （ tREF ）

Settings = Auto ， 0032-4708 ，步进非固定值。 us 为微秒

1552= 100mhz （ ?.?us ）
2064= 133mhz （ ?.?us ）
2592= 166mhz （ ?.?us ）
3120= 200mhz （ ?.?us ）（ BH-5/6 的建议值，频率可达到 250+MHz ）
--------------------
3632= 100mhz （ ?.?us ）
4128= 133mhz （ ?.?us ）
4672= 166mhz （ ?.?us ）
0064= 200mhz （ ?.?us ）
--------------------
0776= 100mhz （ ?.?us ）
1032= 133mhz （ ?.?us ）
1296= 166mhz （ ?.?us ）
1560= 200mhz （ ?.?us ）
--------------------
1816= 100mhz （ ?.?us ）
2064= 133mhz （ ?.?us ）
2336= 166mhz （ ?.?us ）
0032= 200mhz （ ?.?us ）
--------------------
0388= 100mhz （ 15.6us ）
0516= 133mhz （ 15.6us ）
0648= 166mhz （ 15.6us ）
0780= 200mhz （ 15.6us ）
---------------------
0908= 100mhz （ 7.8us ）
1032= 133mhz （ 7.8us ）
1168= 166mhz （ 7.8us ）
0016= 200mhz （ 7.8us ）
---------------------
1536= 100mhz （ 3.9us ）
2048= 133mhz （ 39us ）
2560= 166mhz （ 3.9us ）
3072= 200mhz （ 3.9us ）
---------------------
3684= 100mhz （ 1.95us ）
4196= 133mhz （ 1.95us ）
4708= 166mhz （ 1.95us ）
0128= 200mhz （ 1.95us ）

这个参数是用来设定刷新的间隔时间，除了 Auto 选项，还有非常多的选项可以选择。 Auto 表示根据内存的 SPD 信息来设定，通常是一个很慢的值，为了保证最好的兼容性。数值越高表示性能越好，最高可以达到 128us ，但太高的值可能导致内存数据丢失，因此我们可以一点一点的增加来得到最理想的数值，前提也是系统足够稳定。

另外根据早期的资料显示，内存存储每一个 bit ，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。 DRAM 实际上就是电容器，最小的存储单位是 bit 。每个 bit 都能随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们 必须每隔 15.6us 就刷新一行 。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因 DRAM 也被称为非永久性存储器。一般通过 RAS-only 的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的 EDO 内存每刷新一行耗费 15.6us 的时间。因此一个 2Kb 的内存每列的刷新时间为 15.6usX2048 行 =32ms 。

影响：轻微影响稳定性和内存带宽，对不同程序不同的设定性能上有一点影响

建议设置：根据经验， tREF 和 tRAS 一样，不是一个精确的数值。通常 15.6us 和 3.9us 都能稳定运行， 1.95us 会降低内存带宽。此外还有很多未知的值（ ?.?us ），大多数用户发现 3120=200mhz （ ?.?us ）是一个既稳定性能又好的设置，但也同使用的内存芯片有关。

说明：此值虽然影响稳定性不大，但是不同的程序用不同的值运行会有不同效果，例如跑SUPER PI 1M时等占时小的程序通常用100MHZ 1.95 us ，而在跑32M等占时长的程序选用200MHZ 15.6US是不错的选择。

WriteCAS# Latency （ tWCL ）

Settings = Auto ， 1-8

SDRAM 内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。 tWCL 表示写入的延迟，除了 DDRII ，一般可以设为 1T ，这个参数和大家熟悉的 tCL （ CAS-Latency ）是相对的， tCL 表示读的延迟。

影响：主要影响稳定性，对带宽影响未知。

建议设置：一般用户设为 Auto 或者 1 。

说明：目前可以用2,3的内存很少，笔者只见过BH5/UTT能上。

DRAMBank Interleave

Settings = Enable ， Disable
这个设置用来控制是否启用 interleave 模式。 Interleave 模式允许内存 bank 改变刷新和访问周期。一个 bank 在刷新的同时另一个 bank 可能正在访问。实践表明，由于所有的内存 bank 的刷新周期都是交叉排列的，这样会产生一种流水线效应。然而， interleave 模式只有在出现连续的不同 bank 的寻址请求时才会起作用，如果处于同一 bank ，数据处理时和不开启 interleave 一样。 CPU 必须等待第一个数据处理结束和内存 bank 的刷新，这样才能发送另一个地址。目前所有的内存都支持 interleave 模式，在可能的情况下我们建议打开此项功能。

影响：主要影响带宽和稳定性，对性能影响其次。

建议设置： Enable 。 Disable 会严重影响带宽。

DQSSkew Control

Settings = Auto ， Increase Skew ， Decrease Skew

稳定的电压可以使内存达到更高的频率，电压浮动会引起较大的时间差（ skew ），加强控制力可以减少 skew ，但相应的 DQS （数据控制信号）上升和下降的边缘会出现电压过高或过低。一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟。 DDR 内存的解决方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。 DDRII 引进了更先进的技术：双向的微分 I/O 缓存器来组成 DQS 。微分表示用一个简单脉冲信号和一个参考点来测量信号，而并非信号之间相互比较。理论上提升和下降信号应该是完全对成的，但事实并非如此。时钟和数据的失谐就产生了 DQ-DQSskew 。

影响：轻微影响内存带宽和稳定性

建议设置： Increase 性能好， Decrease 稳定性好。

DQSSkew Value

Settings = Auto ， 0-255 ，步近为 1 。

当我们开启了 DQS skew control 后，这选项用来设定增加或减少的数值。这个参数并不灵敏。

影响：轻微影响带宽和稳定性

建议设置：由于此参数不灵敏，开启 "Increase Skew" 可设为 50-255 。

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小熊在线——WolStame 　北京 2006年01月12日13:39

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