回顾历史我们不难看出，Intel平台的每一次重大升级换代，都对整个IT硬件行业产生剧烈的震动。Intel在2003年秋季论坛上公布了其未来DDR2内存的发展计划。在论坛上Intel发言人对DDR2内存的发展情况以及未来的市场前景做了阐述。而随着CPU前端总线带宽的提高和高速局部总线的出现，内存带宽成为系统越来越大的瓶颈。目前处于主流DDR技术已经发展到极至，受其架构的限制，DDR的速度已经很难再有所提升，因此各种新的内存解决方案应运而生。其中作为DDR的正式接班人的DDR2，从一开始推出后就在计算机行业受倍大家的关注。
面对着市场的瞬息万变，内存新贵生产商KINGXCON（金士刚）有着独到的见解，面对这一变革，当然早已胸有成竹。谈到金士刚，我们先来了解一下其背景—KINGXCON（金士刚）创立于2000年初，公司致力于计算机存储产品的专业制造及供应。其生产实力强大，原材料的选购上严格把关，坚持不仅采用顶尖的内存颗粒，产品的制造流程更是严格依据ISO9001国际标准化规范。制作工艺精益求精，每件产品更是经过100%严格测试，使产品具备高超频，高兼容，高稳定特性。
因而面对这次内存种类的更新换代，新兴的内存力量KINGXCON（金士刚），特别是对于这样专业的内存制造商，产品上不断追求探索，在强有力的研发制造的支持下，精益求精，从而不断的推出新产品。我们先来看一看金士刚DDR2内存的新技术：
金士刚DDR2-667 1GB
DDR2和DDR基本传输方式一样，在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输。在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。这就是DDR2和DDR内存技术标准最大的不同。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。
