韩国首尔消息，三星电子采用60nm制造工艺，开发出2Gbit的OneNAND闪存芯片，据称是世界上最快的闪存，写入速度从原来的9.3Mb/s提升到17Mb/s。

    三星表示，此类闪存可应用于多媒体手机、数码相机、可移除式闪存卡、PC及数字电视。

    采用更多的OneNAND闪存芯片意味着更强的数据处理能力，举例而言，8块2Gbit闪存芯片互联时的数据写入速度可达36Mb/s。

    此外，这类闪存芯片还能用作高速缓冲存储器，三星公司不久前就推出了采用OneNAND闪存作为缓冲存储器的混合硬盘产品。